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| SECTION H ELECTRICITE |
| H 01 | ELEMENTS ELECTRIQUES FONDAMENTAUX |
| H 01 L | DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ELECTRIQUES A L'ETAT SOLIDE NON PREVUS AILLEURS (systèmes transporteurs pour des plaquettes semi-conductrices B 65 G 49/07; emploi de dispositifs à semi-conducteurs pour les mesures G 01; résistances en général H 01 C; aimants, inductances, transformateurs H 01 F; condensateurs en général H 01 G; dispositifs électrolytiques H 01 G 9/00; piles, accumulateurs H 01 M; guides d'ondes, résonateurs ou lignes du type guide d'ondes H 01 P; connecteurs de lignes, collecteurs de courant H 01 R; dispositifs d'émission stimulée H 01 S; résonateurs électromécaniques H 03 H; haut-parleurs, microphones, têtes de lecture pour tourne-disques ou transducteurs acoustiques éléctromécaniques analogues H 04 R; sources le lumière électrique en général H 05 B; circuits imprimés, circuits hybrides, enveloppes ou détails de construction d'appareils électriques, fabrication d'ensembles de composants électriques H 05 K; emploi de dispositifs à semi-conducteurs dans des circuits ayant une application particulière, voir la sous-classe relative à l'application) |
33/ | 00 | Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. de rayons infrarouges; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails (dispositifs de couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques G 02 B 6/42; lasers à semi-conducteur ayant une barrière de potentiel ou une barrière de surface H 01 S 3/19; sources de lumière électroluminescentes H 05 B 33/00) |
35/ | 00 | Dispositifs thermo-électriques comportant une jonction de matériaux différents, c.à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermo-électriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails (dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun H 01 L 27/00; machines frigorifiques utilisant des effets électriques ou magnétiques F 25 B 21/00; mesure de la température basée sur l'utilisation d'éléments thermo-électriques ou thermomagnétiques G 01 K 7/00; obtention d'énergie à partir de sources radioactives G 21 H) |
35/ | 02 | . | Détails |
35/ | 04 | . | . | Détails structurels de la jonction; Connexions des fils |
35/ | 06 | . | . | . | Jonctions amovibles, p.ex. utilisant un ressort |
35/ | 08 | . | . | . | Jonctions non amovibles, p.ex. obtenues par cémentation, frittage, soudage |
35/ | 10 | . | . | . | Connexions des fils |
35/ | 12 | . | Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction |
35/ | 14 | . | . | utilisant des compositions minérales |
35/ | 16 | . | . | . | comprenant du tellure, du sélénium, ou du soufre |
35/ | 18 | . | . | . | comprenant de l'arsenic, de l'antimoine, ou du bismuth (H 01 L 35/16 a priorité) |
35/ | 20 | . | . | . | comprenant des métaux uniquement (H 01 L 35/16, H 01 L 35/18 ont priorité) |
35/ | 22 | . | . | . | comprenant des composés contenant du bore, du carbone, de l'oxygène ou de l'azote |
35/ | 24 | . | . | utilisant des compositions organiques |
35/ | 26 | . | . | utilisant des compositions changeant de façon continue ou discontinue à l'intérieur du matériau |
35/ | 28 | . | fonctionnant exclusivement par effet Peltier ou effet Seebeck |
35/ | 30 | . | . | caractérisés par les moyens d'échange de chaleur à la jonction |
35/ | 32 | . | . | caractérisés par la structure ou la configuration de la cellule ou du thermo-couple constituant le dispositif |
35/ | 34 | . | Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives (non spécialement adaptés à ces dispositifs H 01 L 21/00) |
37/ | 00 | Dispositifs thermo-électriques sans jonction de matériaux différents; Dispositifs thermomagnétiques, p.ex. utilisant l'effet Nernst-Ettinghausen; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives (dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun H 01 L 27/00; mesure de la température basée sur l'utilisation d'éléments thermo-électriques ou thermomagnétiques G 01 K 7/00; emploi de matériaux spécifiés pour la magnétographie, p.ex. pour l'écriture du point de Curie, G 03 G 5/00) |
37/ | 02 | . | utilisant le changement thermique de la constante diélectrique, p.ex. en opérant au-dessus et en-dessous du point de Curie |
37/ | 04 | . | utilisant le changement thermique de la perméabilité magnétique, p.ex. en opérant au-dessus et en-dessous du point de Curie |
39/ | 00 | Dispositifs utilisant la supraconductivité ou l'hyperconductivité; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives (dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun H 01 L 27/00; supraconducteurs caractérisés par la technique de mise en forme des céramiques ou par leur composition céramique C 04 B 35/00; conducteurs, câbles ou lignes de transmission supraconducteurs ou hyperconducteurs H 01 B 12/00; bobines ou enroulements supraconducteurs H 01 F; amplificateurs utilisant la supraconductivité H 03 F 19/00) |
39/ | 02 | . | Détails |
39/ | 04 | . | . | Conteneurs; Supports |
39/ | 06 | . | . | caractérisés par le parcours du courant |
39/ | 08 | . | . | caractérisés par la forme de l'élément |
39/ | 10 | . | . | caractérisés par les moyens de commutation |
39/ | 12 | . | . | caractérisés par le matériau |
39/ | 14 | . | Dispositifs à supraconductivité permanente |
39/ | 16 | . | Dispositifs commutables entre les états normal et supraconducteur |
39/ | 18 | . | . | Cryotrons |
39/ | 20 | . | . | . | Cryotrons de puissance |
39/ | 22 | . | Dispositifs comportant une jonction de matériaux différents, p.ex. dispositifs à effet Josephson |
39/ | 24 | . | Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement des dispositifs couverts par H 01 L 39/00, ou de leurs parties constitutives (non spécialement adaptés à ces dispositifs H 01 L 21/00; séparation magnétique des matériaux supraconducteurs des autres matériaux, p.ex. utilisant l'effet Meissner, B 03 C 1/00) |
41/ | 00 | Eléments piézo-électriques en général; Eléments électrostrictifs en général; Eléments magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces éléments ou de leurs parties constitutives; Détails (dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun H 01 L 27/00) |
| Notes |
| (1) | Le présent groupe ne couvre pas les adaptations à des fins particulières, qui sont couvertes par les endroits appropriés. |
| (2) | Il est important de tenir compte des endroits appropriés suivants: |
| B 06 B `pour les adaptations pour produire ou transmettre les vibrations mécaniques |
| G 01 `pour les transducteurs servant d'éléments capteurs pour la mesure |
| G 04 C, G 04 F `pour les transducteurs adaptés à l'utilisation dans les montres ou les horloges |
| G 10 K `pour les adaptations pour produire ou transmettre le son |
| H 02 N `pour la disposition des éléments dans les machines électriques |
| H 03 H 9/00 `pour les réseaux comprenant des éléments électro-acoustiques ou électromécaniques, p.ex. les circuits résonants |
| H 04 R `pour les haut-parleurs, les microphones, les têtes de lecture pour tourne-disques ou les transducteurs analogues. |
41/ | 02 | . | Détails |
41/ | 04 | . | . | d'éléments piézo-électriques ou électrostrictifs |
41/ | 047 | . | . | . | Electrodes |
41/ | 053 | . | . | . | Montures, supports, enveloppes ou boîtiers |
41/ | 06 | . | . | d'éléments magnétostrictifs |
41/ | 08 | . | Eléments piézo-électriques ou électrostrictifs |
| Note |
| Les groupes H 01 L 41/083 et H 01 L 41/087 ont priorité sur les groupes H 01 L 41/09 à H 01 L 41/113. |
41/ | 083 | . | . | avec une structure empilée ou multicouche |
41/ | 087 | . | . | réalisés sous forme de câbles coaxiaux |
41/ | 09 | . | . | à entrée électrique et sortie mécanique |
41/ | 107 | . | . | à entrée électrique et sortie électrique |
41/ | 113 | . | . | à entrée mécanique et sortie électrique |
41/ | 12 | . | Eléments magnétostrictifs |
41/ | 16 | . | Emploi de matériaux spécifiés |
41/ | 18 | . | . | pour des éléments piézo-électriques ou électrostrictifs |
41/ | 187 | . | . | . | Compositions céramiques |
41/ | 193 | . | . | . | Compositions macromoléculaires |
41/ | 20 | . | . | pour des éléments magnétostrictifs |
41/ | 22 | . | Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces éléments ou de leurs parties constitutives (non spécialement adaptés à ces dispositifs H 01 L 21/00) |
41/ | 24 | . | . | d'éléments à composition céramique |
41/ | 26 | . | . | d'éléments à composition macromoléculaire |
43/ | 00 | Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives (dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun H 01 L 27/00; dispositifs avec barrière de potentiel ou barrière de surface commandés par variation d'un champ magnétique H 01 L 29/82) |
43/ | 02 | . | Détails |
43/ | 04 | . | . | de dispositifs à effet Hall |
43/ | 06 | . | Dispositifs à effet Hall |
43/ | 08 | . | Résistances commandées par un champ magnétique |
43/ | 10 | . | Emploi de matériaux spécifiés |
43/ | 12 | . | Procédés ou appareillages spécifiques pour la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs éléments (non spécialement adaptés à ces dispositifs H 01 L 21/00) |
43/ | 14 | . | . | pour dispositifs à effet Hall |
45/ | 00 | Dispositifs à l'état solide adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives (dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun H 01 L 27/00; dispositifs utilisant la supraconductivité ou de l'hyperconductivité H 01 L 39/00; éléments piézo-électriques H 01 L 41/00; dispositifs à résistance négative à effet de volume H 01 L 47/00) |
45/ | 02 | . | Dispositifs à l'état solide utilisés comme dispositifs à ondes progressives |
47/ | 00 | Dispositifs à résistance négative à effet de volume, p.ex. dispositifs à effet Gunn; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives (dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun H 01 L 27/00) |
47/ | 02 | . | Dispositifs à effet Gunn |
49/ | 00 | Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H 01 L 27/00 à H 01 L 47/00, et non couverts par une autre sous-classe; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives (dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun H 01 L 27/00) |
49/ | 02 | . | Dispositifs à film mince ou à film épais |
51/ | 00 | Dispositifs à l'état solide adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation, ou bien condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, et qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives (procédés ou appareils pour le traitement de corps semi-conducteurs minéraux sur lesquels est formée ou traitée une couche organique H 01 L 21/00, H 01 L 21/312, H 01 L 21/47) |
51/ | 10 | . | Détails des dispositifs |
51/ | 20 | . | Dispositifs |
51/ | 30 | . | Emploi de matériaux spécifiés |
51/ | 40 | . | Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs ou de leurs parties constitutives |
| Système d'indexation associé au groupe H 01 L 27/00, relatif aux circuits intégrés. Le code d'indexation doit être non lié. [5] |
| Note |
| Il est important de tenir compte du chapitre IV du Guide d'utilisation qui indique les règles concernant l'attribution et la présentation des différents types de codes d'indexation. |
101: | 00 | Circuits intégrés AIIIBV [5] |
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