CIB 6 Version française
  H01L 27/00 - H01L 29/96  
  
H01L03100-H01L03120
  H01L 33/00 - H01L 101:00  

SECTION H– ELECTRICITE


H 01ELEMENTS ELECTRIQUES FONDAMENTAUX


H 01 LDISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ELECTRIQUES A L'ETAT SOLIDE NON PREVUS AILLEURS (systèmes transporteurs pour des plaquettes semi-conductrices B 65 G 49/07; emploi de dispositifs à semi-conducteurs pour les mesures G 01; résistances en général H 01 C; aimants, inductances, transformateurs H 01 F; condensateurs en général H 01 G; dispositifs électrolytiques H 01 G 9/00; piles, accumulateurs H 01 M; guides d'ondes, résonateurs ou lignes du type guide d'ondes H 01 P; connecteurs de lignes, collecteurs de courant H 01 R; dispositifs d'émission stimulée H 01 S; résonateurs électromécaniques H 03 H; haut-parleurs, microphones, têtes de lecture pour tourne-disques ou transducteurs acoustiques éléctromécaniques analogues H 04 R; sources le lumière électrique en général H 05 B; circuits imprimés, circuits hybrides, enveloppes ou détails de construction d'appareils électriques, fabrication d'ensembles de composants électriques H 05 K; emploi de dispositifs à semi-conducteurs dans des circuits ayant une application particulière, voir la sous-classe relative à l'application) [2]


31/

00Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails (H 01 L 51/00 a priorité; dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun, autres que les assemblages de composants sensibles au rayonnement avec une ou plusieurs sources de lumière électrique H 01 L 27/00; aspects couverture de toit des dispositifs collecteurs d'énergie E 04 D 13/18; production de chaleur utilisant la chaleur solaire F 24 J 2/00; mesure des rayons X, des rayons gamma, des radiations corpusculaires ou des radiations cosmiques avec des détecteurs à semi-conducteurs G 01 T 1/24, avec des détecteurs à résistance G 01 T 1/26; mesure de flux de neutrons avec des détecteurs à semi-conducteurs G 01 T 3/08; dispositifs de couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques G 02 B 6/42; obtention d'énergie à partir de sources radioactives G 21 H) [2,6]

31/

02.Détails [2]

31/

0203..Conteneurs; Capsulations [5]

31/

0216..Revêtements [5]

31/

0224..Electrodes [5]

31/

0232..Eléments ou dispositions optiques associés au dispositif [5]

31/

0236..Textures de surface particulières [5]

31/

024..Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de température [5]

31/

0248.caractérisés par leurs corps semi-conducteurs [5]

31/

0256..caractérisés par les matériaux [5]

31/

0264...Matériaux minéraux [5]

31/

0272....Sélénium ou tellure [5]

31/

028....comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des éléments du quatrième groupe de la classification périodique [5]

31/

0288.....caractérisés par le matériau de dopage [5]

31/

0296....comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI, p.ex. CdS, ZnS, HgCdTe [5]

31/

0304....comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV [5]

31/

0312....comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIVBIV, p.ex. SiC [5]

31/

032....comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes H 01 L 31/0272 à H 01 L 31/0312 [5]

31/

0328....comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des matériaux semi-conducteurs couverts par plusieurs des groupes H 01 L 31/0272 à H 01 L 31/032 [5]

31/

0336.....dans des régions semi-conductrices différentes, p.ex. des hétéro-jonctions Cu2X/CdX, X étant un élément du sixième groupe de la classification périodique [5]

31/

0344(transféré en H 01 L 51/00)

31/

0352..caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices [5]

31/

036..caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins [5]

31/

0368...comprenant des semi-conducteurs polycristallins (H 01 L 31/0392 a priorité) [5]

31/

0376...comprenant des semi-conducteurs amorphes (H 01 L 31/0392 a priorité) [5]

31/

0384...comprenant d'autres matériaux non cristallins, p.ex. des particules semi-conductrices incorporées dans un matériau isolant (H 01 L 31/0392 a priorité) [5]

31/

0392...comprenant des films minces déposés sur des substrats métalliques ou isolants [5]

31/

04.adaptés comme dispositifs de conversion [2]

31/

042..comprenant un panneau ou une matrice de cellules photovoltaïques, p.ex. des cellules solaires [5]

31/

045...escamotables ou pliables [5]

31/

048...encapsulés ou ayant un boîtier [5]

31/

05...caractérisés par des moyens d'interconnexion particuliers [5]

31/

052...avec des moyens de refroidissement ou des moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière [5]

31/

055....la lumière étant absorbée par le concentrateur et réémise avec une longueur d'onde différente, p.ex. en utilisant un matériau luminescent [5]

31/

058...comprenant des moyens pour utiliser l'énergie thermique, p.ex. systèmes hybrides, ou une source additionnelle d'énergie électrique (utilisant l'énergie solaire en général F 24 J 2/00) [5]

31/

06..caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface [2]

31/

062...les barrières de potentiel étant uniquement du type métal-isolant-semi-conducteur [5]

31/

065...les barrières de potentiel étant uniquement du type à bande interdite graduelle [5]

31/

068...les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à homojonction [5]

31/

07...les barrières de potentiel étant uniquement du type Schottky [5]

31/

072...les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction [5]

31/

075...les barrières de potentiel étant uniquement du type PIN [5]

31/

078...comprenant des barrières de potentiel couvertes par plusieurs des groupes H 01 L 31/062 à H 01 L 31/075 [5]

31/

08.dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances [2]

31/

09..Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet (H 01 L 31/101 a priorité) [5]

31/

10..caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors [2]

31/

101...Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet [5]

31/

102....caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface [5]

31/

103.....la barrière de potentiel étant du type PN à homojonction [5]

31/

105.....la barrière de potentiel étant du type PIN [5]

31/

107.....la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche [5]

31/

108.....la barrière de potentiel étant du type Schottky [5]

31/

109.....la barrière de potentiel étant du type PN à hétérojonction [5]

31/

11....caractérisés par deux barrières de potentiel ou de surface, p.ex. phototransistor bipolaire [5]

31/

111....caractérisés par au moins trois barrières de potentiel, p.ex. photothyristor [5]

31/

112....caractérisés par un fonctionnement par effet de champ, p.ex. phototransistor à effet de champ à jonction [5]

31/

113.....du type conducteur-isolant-semi-conducteur, p.ex. transistor à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur [5]

31/

115...Dispositifs sensibles au rayonnement d'ondes très courtes, p.ex. rayons X, rayons gamma ou rayonnement corpusculaire [5]

31/

117....du type détecteurs de rayonnement à effet de volume, p.ex. détecteurs PIN en Ge compensés au Li pour rayons gamma [5]

31/

118....du type détecteurs à barrière de surface ou à jonction PN superficielle, p.ex. détecteurs de particules alpha à barrière de surface [5]

31/

119....caractérisés par un fonctionnement par effet de champ, p.ex. détecteurs du type MIS [5]

31/

12.structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources de lumière électriques, p.ex. avec des sources de lumière électro-luminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec les dites sources (dispositifs semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou de surface adaptés pour l'émission de lumière H 01 L 33/00; amplificateurs utilisant un élément électro-luminescent ou une cellule photo-électrique H 03 F 17/00; sources de lumière électro-luminescentes en soi H 05 B 33/00) [2,5]

31/

14..la ou les sources de lumière étant commandées par le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement, p.ex. convertisseurs d'images, amplificateurs d'images, dispositifs de stockage d'image [2]

31/

147...les sources de lumière et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface [5]

31/

153....formés dans, ou sur un substrat commun [5]

31/

16..le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement étant commandé par la ou les sources de lumière [2]

31/

167...les sources de lumière et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface [5]

31/

173....formés dans, ou sur un substrat commun [5]

31/

18.Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives (non particuliers pour ces dispositifs H 01 L 21/00) [2]

31/

20..les dispositifs ou leurs parties constitutives comprenant un matériau semi-conducteur amorphe [5]

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